关于杨为佑教授、杨小宝教授做客我校“名师名家”讲坛的公告

作者: 来源:   发布日期:2019-06-17 11:02:52

由2019年彩霸王坛论280333、党委研究生工作部主办,材料科学与工程学院、河南省资源与材料产业协同创新中心承办的研究生“名师名家”讲坛,将邀请宁波工程学院材料所杨为佑教授、华南理工大学杨小宝教授为广大师生做学术报告。欢迎相关专业的老师和同学们积极参加!

报告一:

报告题目:SiC低维材料生长控制及其光电器件应用

报告人:杨为佑教授

报告时间:2019年6月19日(周三)9:00-11:00

报告地点:郑州大学主校区河南省资源与材料产业协同创新中心一楼报告厅

报告人简介:

杨为佑,宁波工程学院材料所教授,博士生导师,乌克兰工程院外籍院士,浙江省万人计划科技创新领军人才,“第三代半导体低维材料与器件”浙江省高校高水平创新团队负责人、“材料科学与工程”省一流学科带头人、享受国务院政府特殊津贴。入选宁波市领军与拔尖人才第一层次、浙江省新世纪151人才第一层次。

主要从事无机非金属半导体低维材料的可控合成、性能及其器件应用基础研究,先后主持承担973计划前期研究专项1项、国家自然科学基金5项、浙江省杰出青年科学基金1项等;迄今在Chem. Soc. Rev.、Prog. Mater. Sci.、J. Am. Chem. Soc.、Adv. Energy Mater.、ACS Nano、Adv. Funct. Mater.等发表SCI收录论文130余篇(SCI一区top期刊封面论文10篇);申请发明专利70余项,已授权50项;应邀参与撰写国际专著2部。

报告简介:

二代半导体,面临的主要困难是无法胜任高温(>200℃)等苛刻服役条件。SiC是重要的第三代半导体代表性材料之一,与GaN并称为第三代半导体双雄,有望解决第一、二代半导体高温稳定性的瓶颈问题。本报告向大家介绍我们团队近年来在SiC低维材料领域开展的一点工作。围绕SiC场发射阴极材料研发,基于局域场增强效应和调控费米能级附近电子态密度等原理,采用有机前驱体热解工艺,实现了SiC低维材料生长及其掺杂的控制,达到了场发射性能的协同强化效果。围绕超级电容器的研发,采用电化学刻蚀工艺,实现了大面积高定向SiC纳米阵列的温和制备与结构调控,所构建的SiC超级电容器展现出良好的综合电化学性能。

 

报告二:

报告题目:纳米合金结构的搜索与建模

报告人:杨小宝教授

报告时间:2019年6月19日(周三)14:30-16:30

报告地点:郑州大学主校区河南省资源与材料产业协同创新中心一楼报告厅

报告人简介:

杨小宝,华南理工大学物理与光电学院教授,博士生导师,主要从事纳米材料的理论研究,在国际刊物J. Am. Chem. Soc.、Nanoscale, Nano Research、Phys. Rev. B、Appl. Phys. Lett.等发表 SCI 论文 89篇(其中第一/通讯作者 48 篇),论文被同行引用 1732 次,单篇论文他人引用最高次数为 208 次,先后主持完成国家自然科学基金面上项目、省部级项目等10项,于 2013 年入选广东省高等学校优秀青年教师培养计划,2014 年获得广东省杰出青年基金,入选广东省特支计划。

报告简介:

主要讲述理论计算(包括第一原理方法、建立模型势、结构搜索等)在合金材料研究中的应用。重点关注特殊问题的结构搜索,比如金刚石量子点、合金结构、C60上的替换、硼平面结构中空位的分布等。采取蒙特卡洛树搜索方案,有效解决结构搜索问题,实现以性能为导向的材料设计,建立体系能量和性质与子结构的关系。对于碳族相关体系,确定了不同数目硼、氮原子在富勒烯体系上替换掺杂的稳定结构;对于石墨烯团簇,提出了有效描述体系电子性质的模型,实现了基于性能的结构搜索,并将该方法推广到其他相关体系。确定了不同尺寸下稳定的硼团簇结构,并讨论了在不同衬底下硼平面结构的演化,预测了一系列具有半导体特性的硼平面单层结构,为硼纳米结构研究提供新的思路,有可能使其成为媲美石墨烯的新型材料。

研究生院

党委研究生工作部

材料科学与工程学院

河南省资源与材料产业协同创新中心

2019年6月17日